| 体積 | 打点径 | 打点高さ | |
|---|---|---|---|
| Ave. | 0.022nL | 64μm | 12μm |
| 3σ | 0.009nL | 4.5μm | 2.0μm |
Agシンタリングペースト
打点塗布＆薄膜形成
概要
Agシンタリングペーストは、高い熱伝導性と電気伝導性を備え、さらに高耐熱で接合劣化に強いことから、自動車用パワー半導体のダイアタッチやヒートシンクアタッチで採用が広がっている機能性材料です。
現在、Agシンタリングペーストはチップやパッケージのサイズに応じて面状に塗布されることが一般的です。しかし、パワー半導体の高性能化に伴い、導電・放熱特性を高めるための接合部形状の最適化や、熱抵抗低減を目的とした薄膜化への要求が高まっています。
武蔵エンジニアリングは、こうしたニーズに対し、矩形に限られない多様な形状設計を可能にするAgシンタリングペーストの非接触微小ドッティング塗布技術を開発しました。
Agシンタリングペースト 非接触微小ドッティング
本技術では、最小φ64μmの微小ドット形成を実現しています。導電性と熱伝導性が求められる基板上や半導体パッケージ上の微小部位への塗布に活用できます。
Agシンタリングペースト 19µm薄膜形成
本技術により、厚み19μmの薄膜形成を実現しています。さらに、ドッティングによる形状形成により、L字型やラウンド形状など、接合部形状の自由度を高めた薄膜形成が可能です。
- 塗布方法：連続塗布
- 平均膜厚：19µm
OTHER CASES
その他事例
Agペーストの吐出性に合わせて構造や条件を徹底的に最適化することで、塗布径31μm、塗布量5pLを実現しました。
導電ペーストを基板からチップ側面を経由し、チップ上面の導通部へと配線できます。
Type5からType8までのソルダーペーストにおいて、100万ショット以上の連続安定塗布を実現しました。
実際にチップ端面からのぬれ広がりを最小150μmに抑えたアンダーフィル（UF）剤塗布を行いました。
チップ間隙間100µm、スタンドオフ50µmという極めて狭い条件でアンダーフィル（UF）塗布を行いました。
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